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NTMFS002N10MCLT1G是一款工業(yè)級功率MOSFET，采用5mm x 6mm扁平引線封裝。該MOSFET設計用于高效的緊湊型設計，具有較高的散熱性能。NTMFS002N10MCLT1G具有低RDS(on)、低QG、電容，并符合RoHS指令。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Ta），175A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.8 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 351μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：97 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7200 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），189W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

應用

● USB Type C設計中的同步整流

● 開關電源

● 直流-直流模塊中的一次側(cè)MOSFET

● 反向電池保護

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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