商品名稱:NTMFS1D7N03CGT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTMFS1D7N03CGT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTMFS1D7N03CGT1G 是 30 V、1.74 m、170 A、功率單 N 溝道 MOSFET 晶體管,SO8-FL。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Ta),170A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.74 毫歐 @ 18A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.2V @ 90μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):48 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3780 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),87W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
特性
寬 SOA 以改善浪涌電流管理
先進(jìn)封裝(5x6 毫米),具有出色的熱傳導(dǎo)性能
超低 RDS(on),可提高系統(tǒng)效率
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
典型應(yīng)用
熱插拔應(yīng)用
電源負(fù)載開關(guān)
電池管理和保護(hù)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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