商品名稱:NVMYS6D2N06CLTWG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVMYS6D2N06CLTWG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOT-1023
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
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NVMYS6D2N06CLTWG 是一款 MOSFET - 功率型、單 N 溝道 60 V、6.1 m、71 A 晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss):60 V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C:17A (Ta),71A (Tc)
Rds On(最大)@ Id,Vgs:6.1mOhm @ 35A,10V
Vgs(th)(最大值)@ Id:2V @ 53μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:20 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:1400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),61W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:表面貼裝
特點(diǎn)
占用空間?。?x6 毫米),適合緊湊型設(shè)計(jì)
低 RDS(on),將傳導(dǎo)損耗降至最低
低 QG 和電容,將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低
LFPAK4 封裝,行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證,并符合 PPAP 要求
這些器件無(wú)鉛,符合 RoHS 規(guī)范
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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