商品名稱(chēng):NVMFD5C470NLWFT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVMFD5C470NLWFT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-DFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NVMFD5C470NLWFT1G 適用于緊湊和高效設(shè)計(jì)的汽車(chē)用功率 MOSFET,安裝在 5x6mm 扁平引線封裝中且具有較高的熱性能。
規(guī)格
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8FL-Dual-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 36 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.2 mOhms, 9.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 24 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
系列: NVMFD5C470NL
配置: Dual
下降時(shí)間: 36 ns, 36 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 30 S, 30 S
上升時(shí)間: 55 ns, 55 ns
晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns, 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9.3 ns, 9.3 ns
單位重量: 161.193 mg
典型應(yīng)用
電磁閥驅(qū)動(dòng)器
低壓側(cè)/高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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