商品名稱:NVH4L060N065SC1
數(shù)據(jù)手冊:NVH4L060N065SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-4L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET具有與硅相比更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。安森美NVH4L060N065SC1具有低導(dǎo)通電阻,采用小尺寸芯片,可確保低電容和低柵極電荷。系統(tǒng)優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統(tǒng)尺寸小。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-4L
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 47 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 70 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V
Qg-柵極電荷: 74 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 176 W
通道模式: Enhancement
系列: NVH4L060N065SC1
配置: Single
下降時間: 11 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 12 S
上升時間: 14 ns
典型關(guān)閉延遲時間: 24 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
應(yīng)用
汽車車載充電器
適用于EV/HEV的汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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