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NTH4L020N120SC1 是 1200V、20mohm、碳化硅 (SiC) N 溝道 MOSFET 晶體管 - EliteSiC，TO-247-4L。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：102A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：28毫歐 @ 60A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：220 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2943 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：510W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

產(chǎn)品特性

典型值 RDS(on) = 20 m

超低柵極電荷 (QG(tot) = 220 nC)

高速開關，低電容（Coss = 258pF）

100% 雪崩測試

TJ = 175°C

典型應用

不間斷電源

直流-直流轉換器

升壓型逆變器

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