商品名稱:BUK7V4R2-40HX
數(shù)據(jù)手冊(cè):BUK7V4R2-40HX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK56D
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BUK7V4R2-40HX 40V 半橋MOSFET采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝,寄生電感降低60%,散熱性能更高。該MOSFET消除了PCB軌道,支持在生產(chǎn)過程中進(jìn)行簡單的自動(dòng)光學(xué)檢測(cè) (AOI),因此PCB面積比雙MOSFET三相電機(jī)控制拓?fù)湫?0%。
規(guī)格
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
配置:2 個(gè) N 通道(半橋)
FET 功能:-
漏源電壓(Vdss):40V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):98A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.2 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.6V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):37nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2590pF @ 25V
功率 - 最大值:85W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:SOT-1205,8-LFPAK56
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56D
基本產(chǎn)品編號(hào):BUK7V4
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
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