商品名稱:M95640-DRDW8TP/K
數(shù)據(jù)手冊:M95640-DRDW8TP/K.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TSSOP-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
M95640-DRDW8TP/K 是一款 64-Kbit 串行 EEPROM 器件,工作溫度高達(dá) 105 °C。M95640-DRDW8TP/K 符合 AEC-Q100 等級 2 規(guī)定的可靠性水平。
該器件通過一個簡單的串行 SPI 兼容接口訪問,運(yùn)行頻率高達(dá) 20 MHz。
存儲器陣列基于先進(jìn)的真正 EEPROM 技術(shù)(電可擦除可編程存儲器)。M95640-DRDW8TP/K 是一種字節(jié)可更改存儲器(8192 × 8 位),分為 256 頁,每頁 32 個字節(jié),其中的嵌入式糾錯碼邏輯大大提高了數(shù)據(jù)完整性。
所有功能
與串行外設(shè)接口 (SPI) 總線兼容
內(nèi)存陣列
64 Kbit(8 K 字節(jié))EEPROM
頁大?。?2 字節(jié)
塊寫保護(hù):1/4、1/2 或整個存儲器
附加寫入鎖定頁(識別頁)
擴(kuò)展的溫度和電壓范圍
高達(dá) 105 °C(VCC 從 1.7 V 至 5.5 V)
高速時鐘頻率
VCC ≥4.5 V 時為 20 MHz
VCC ≥2.5 V 時為 10 MHz
VCC ≥ 1.7 V 時為 5 MHz
用于噪聲過濾的施密特觸發(fā)器輸入
寫入周期時間短
字節(jié)寫入 4 毫秒內(nèi)
頁寫入 4 毫秒內(nèi)
寫入周期耐久性
25°C 時 400 萬次寫入循環(huán)
120 萬次寫入循環(huán)(85°C 時
90 萬次寫入循環(huán)(105°C 時
數(shù)據(jù)保存
105°C 時超過 50 年
55°C 時 200 年
靜電放電保護(hù)(人體模型)
4000 V
封裝
符合 RoHS 規(guī)范,無鹵素 (ECOPACK2?)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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