商品名稱:FF1200R12IE5P
數(shù)據(jù)手冊:FF1200R12IE5P.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FF1200R12IE5P模塊設(shè)計采用溝槽/場終止型IGBT5,具有發(fā)射器控制的5個二極管和NTC/預(yù)涂熱界面材料。具有擴展工作溫度、高短路能力、高電流密度、低開關(guān)損耗和出色的穩(wěn)健性。非常適合用于大功率轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、UPS系統(tǒng)、牽引驅(qū)動器和風(fēng)力渦輪機。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:半橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):2400 A
功率 - 最大值:20 mW
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,1200A
電流 - 集電極截止(最大值):5 mA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):65.5 nF @ 25 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 175°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應(yīng)商器件封:模塊
應(yīng)用
● 大功率轉(zhuǎn)換器
● 電機驅(qū)動器
● 不間斷電源系統(tǒng)
● 牽引驅(qū)動器
● 風(fēng)力發(fā)電機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IGW75N65H5
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IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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