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MBR8170TFSTAG是采用 8-FL封裝的高性能器件。它具有較低的正向電壓、較小的漏電流和較小的結(jié)電容，適用于高開關(guān)頻率、高密度直流到直流轉(zhuǎn)換應用。提供更高的雪崩能量的能力。具有出色的散熱性能，占用電路板空間更少，外形更小巧。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：170 V

電流 - 平均整流 (Io)：8A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：890 mV @ 8 A

速度：快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：30 μA @ 170 V

不同 Vr、F 時電容：237pF @ 1V，1MHz

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-PowerWDFN

供應商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）

工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 175°C

應用

● 高開關(guān)頻率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

● 第二整流器

● 與電感負載一起使用的續(xù)流二極管

● 折流/反向保護

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