商品名稱:STWBC86JR
數(shù)據(jù)手冊:STWBC86JR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:72-UFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STWBC86JR Qi兼容無線功率發(fā)射器是一種高度集成的單片解決方案,適用于高達(dá)5W的應(yīng)用。具有集成式低阻抗全/半橋逆變器,可實(shí)現(xiàn)高效率和低功率耗散。設(shè)有I2C接口,可定制固件和平臺參數(shù)。該器件的配置通過嵌入式FTP進(jìn)行??商砑宇~外固件補(bǔ)丁來提高應(yīng)用靈活性。倒裝芯片封裝和低物料清單數(shù)量使STWBC86適用于非常緊湊的應(yīng)用。
特性
● WPC Qi 1.2.4兼容功率等級0 BPP
● 基于A11a拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率Tx參考設(shè)計(jì)
● 接收器側(cè)高達(dá)5W的輸出功率傳輸
● 寬輸入電壓范圍:4.75V至20V
● 單片解決方案,集成半橋/全橋逆變器和驅(qū)動(dòng)器,實(shí)現(xiàn)高效率和低物料清單數(shù)
● 32位、64MHz ARM Cortex微控制器,帶8KB SRAM
● FTP(可幾次編程),用于固件補(bǔ)丁和高級功能
應(yīng)用
● 智能手機(jī)充電
● 醫(yī)療電子設(shè)備
● 智能可穿戴、耳戴式充電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Maxim
WLP-16
1000
專業(yè)電源管理 (PMIC) 配備 4 個(gè)輸出 SIMO 的 Nano Power PMIC 可提供高達(dá) 1.25W 的輸出功率
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,采用簡潔卻堅(jiān)固的設(shè)計(jì)。由六個(gè)帶續(xù)流二極管的IGBT和三個(gè)用于柵極驅(qū)動(dòng)控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。其特點(diǎn)和主要規(guī)格如下:特點(diǎn)包含用于柵極驅(qū)動(dòng)控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景,如工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進(jìn)的PowerMESH技術(shù),確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時(shí)的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…電話咨詢:86-755-83294757
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