商品名稱：BSM600C12P3G201
數(shù)據(jù)手冊：
BSM600C12P3G201.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BSM600C12P3G201 SiC功率模塊是在一個封裝中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半橋SiC模塊。這類模塊能在減少開關(guān)損耗的同時高頻運行。與現(xiàn)有解決方案相比，此優(yōu)化設(shè)計減少了雜散電感。另外，為了防止發(fā)生過熱情況，還提供了集成其他熱敏電阻的E型模塊。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：600A（Tc）
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA
Vgs（最大值）：+22V，-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：28000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）：2460W（Tc）
工作溫度：175°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
供應(yīng)商器件封裝：模塊
封裝/外殼：模塊
應(yīng)用
● 電機驅(qū)動
● 轉(zhuǎn)換器
● 光伏、風(fēng)力發(fā)電。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一，總部所在地設(shè)在日本京都市，ROHM設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
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