商品名稱：CBB032M12FM3T
數據手冊：
CBB032M12FM3T.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
CBB032M12FM3T 1200 V、32 mΩ、碳化硅、全橋模塊。
產品屬性
技術： 碳化硅（SiC）
配置： 4 N 溝道（全橋）
FET 功能： 碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：39A（Tj）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 44 毫歐 @ 30A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.9V @ 11mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 118nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 3500pF @ 1000V
工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 底座安裝
封裝/外殼： 模塊
應用
● 直流-直流轉換器
● 電動汽車充電器
● 高效轉換器/逆變器
● 可再生能源
● 智能電網/并網分布式發(fā)電
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用，如感應加熱、軌道/牽引、電機驅動器和電動汽車充電基礎設施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…
HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認證的SiC 功率模塊，主要用于感應加熱、電機驅動、能源發(fā)電、智能電網、鐵路、電動汽車快速充電等高頻工業(yè)應用?領域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：530…
CHB011M12GM4
CHB011M12GM4是一款1200V，100A的T型工業(yè)級碳化硅（SiC）模塊，主要用于工業(yè)領域，特別是需要高性能、高可靠性的應用場景。其低電感和穩(wěn)健的布局使其在惡劣環(huán)境下表現(xiàn)出色，適合各種工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)。CHB011M12GM4具有以下規(guī)格：技術：碳化硅（SiC）配置：4 個 N 通…
CAB004M12GM4
CAB004M12GM4是一款1200 V / 200A的碳化硅（SiC）功率模塊，由Wolfspeed公司生產，主要用于各種工業(yè)應用，特別是在需要高效、高可靠性的電力電子系統(tǒng)中。CAB004M12GM4具有以下規(guī)格參數：技術：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：-漏源電壓（Vdss）：1200V…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點工業(yè)標準 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600（I 類材料）符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標準高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設計超低損耗、高頻運行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…電話咨詢：86-755-83294757
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