商品名稱:NTMFS6H848NLT1G
數(shù)據(jù)手冊:NTMFS6H848NLT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTMFS6H848NLT1G具有低最大導通電阻 (RDS(ON))、超低柵極電荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)(功率轉(zhuǎn)換應用中使用的MOSFET的關鍵品質(zhì)因數(shù) (FOM))。Trench8 MOSFET具有基于T6技術的優(yōu)化開關性能,與Trench6系列相比,Qg和Qoss降低了35%至40%。安森美半導體Trench8 MOSFET有多種封裝類型可選,實現(xiàn)設計靈活性。符合AEC-Q101標準,并具有PPAP功能,適合用于汽車應用。其中許多器件采用側(cè)翼可濕性封裝,可實現(xiàn)自動光學檢測 (AOI)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):13A(Ta),59A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):8.8 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 70μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1420 pF @ 40 V
功率耗散(最大值):3.7W(Ta),73W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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