商品名稱:NVTFWS014P04M8LTAG
數(shù)據(jù)手冊:NVTFWS014P04M8LTAG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-WDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVTFWS014P04M8LTAG 是 40V、13.8mOhm、49A 功率 MOSFET,單 P 溝道晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:P 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11.3A(Ta),49A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):13.8 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 420μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):26.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1734 pF @ 20 V
功率耗散(最大值):3.2W(Ta),61W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-WDFN(3.3x3.3)
封裝/外殼:8-PowerWDFN
產(chǎn)品特性
小尺寸(3.3 x 3.3 毫米),適合緊湊型設(shè)計
低 RDS(on),將傳導(dǎo)損耗降至最低
低電容,將驅(qū)動器損耗降至最低
NVTFWS014P04M8L - 可潤濕側(cè)翼產(chǎn)品
通過 AEC-Q101 認(rèn)證并可執(zhí)行 PPAP
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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