商品名稱:W631GU8NB11I
數(shù)據(jù)手冊:W631GU8NB11I.pdf
品牌:Winbond
年份:23+
封裝:78-VFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
W631GU8NB11I 是一款密度為1Gb的同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存(SDRAM)DDR3L,由16,777,216字、8個存儲體和8位組成。該器件可實現(xiàn)高達2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速傳輸速率,適用于各種應(yīng)用。W631GU8NB的設(shè)計符合以下關(guān)鍵DDR3L SDRAM功能,如發(fā)布CAS#、可編程CAS#寫入延遲(CWL)、ZQ校準、芯片端接和異步復(fù)位。
規(guī)格
存儲器類型:易失
存儲器格式:DRAM
技術(shù):SDRAM - DDR3L
存儲容量:1Gb
存儲器組織:128M x 8
存儲器接口:并聯(lián)
時鐘頻率:933 MHz
寫周期時間 - 字,頁:15ns
訪問時間:20 ns
電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V
工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:78-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝:78-VFBGA(8x10.5)
基本產(chǎn)品編號:W631GU8
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Winbond Electronics - Winbond Electronics Corporation是一家存儲器 IC 公司,致力于設(shè)計、制造和銷售服務(wù),向全球客戶提供高品質(zhì)存儲器解決方案。 產(chǎn)品線包括代碼存儲閃存、串行和并行 NAND、特殊 DRAM 和移動 DRAM。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)垂直市場領(lǐng)域的各個公司,涵蓋…
W66BP2NQUAFJ
W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM,適合支持edge AI的設(shè)備。說明:LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM,與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣,LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。然而,它在不改變時鐘頻率的情況下實現(xiàn)了更大的帶寬…W632GU6QB-09
W632GU6QB-09器件是一款2Gb同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存器件。該DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車,工業(yè),電視,機頂盒,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,計算機,BD播放器等。W632GU6QB-09的規(guī)格:存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM技術(shù):SDRAM - DDR3L存儲容量:2Gb存儲器組織…W958D6NBKX5I
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W634GU6RB11I是一款4Gbit、第三代雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存器件。說明:DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車,工業(yè),電視,機頂盒,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,計算機,BD播放器等。W634GU6RB11I的規(guī)格:存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM技術(shù):SDRAM - DD…W9825G6KH-6I
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W632GU6MB-12是一款 2G 位 DDR3L SDRAM,分為 16,777,216 個字 8 個庫 16 位。該器件可實現(xiàn)高達 2133 MT/s 的高速傳輸速率(DDR3L-2133),適用于各種應(yīng)用。產(chǎn)品屬性存儲器類型: 易失 存儲器格式: DRAM 技術(shù): SDRAM - DDR3 存儲容量: 2Gb 存儲器組織:128M x 1…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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