商品名稱：NTTFD021N08C
數(shù)據(jù)手冊：
NTTFD021N08C.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：12-WQFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：10 件
NTTFD021N08C采用雙封裝，包含兩個專用 N 溝道 MOSFET。開關(guān)節(jié)點采用內(nèi)部連接，以便于同步降壓轉(zhuǎn)換器的安置和路由。同步降壓轉(zhuǎn)換器的安置和布線?？刂?MOSFET（Q2）和同步 MOSFET（Q1）的設(shè)計旨在提供最佳的功率效率。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 N-通道（雙）
漏源電壓（Vdss）：80V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6A（Ta），24A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：21 毫歐 @ 7.8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 44μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：8.4nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：572pF @ 40V
功率 - 最大值：1.7W（Ta），26W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：12-PowerWQFN
供應(yīng)商器件封裝：12-WQFN（3.3x3.3）
應(yīng)用
● 計算
● 通信
● 通用負載點
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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NCV5661MN12T2G是一款高性能低漏 (LDO) 線性穩(wěn)壓器，適用于需要最高 1.0 A 電流的大功率應(yīng)用。
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NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
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