商品名稱:IMZA120R014M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMZA120R014M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:240 件
IMZA120R014M1H 采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì),例如1200 V開(kāi)關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒(méi)有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒(méi)有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率。
特征描述
出類拔萃的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓,實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
寬柵源電壓范圍
堅(jiān)固的低損耗體二極管,適用于硬開(kāi)關(guān)
關(guān)斷損耗受溫度影響小
.XT擴(kuò)散焊技術(shù),可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電池化成
電動(dòng)汽車快速充電
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
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TZ810N22KOFTIM是單晶閘管 70 mm 功率模塊 2200 V、810 A,用于壓力觸點(diǎn)技術(shù)中的相位控制,預(yù)涂熱界面材料。電話咨詢:86-755-83294757
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