商品名稱(chēng):IMW65R107M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMW65R107M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:240 件
IMW65R107M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù),并經(jīng)過(guò)優(yōu)化,在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗,并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝,以提供經(jīng)濟(jì)高效的性能。
產(chǎn)品參數(shù)
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:55 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:39 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.2 V
Qg-柵極電荷:39 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:227 W
通道模式:Enhancement
優(yōu)勢(shì)
高性能、高可靠性和易用性
實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率
降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性
減小系統(tǒng)尺寸
適用于具有硬換向事件的拓?fù)?/p>
適用于高溫和惡劣的運(yùn)行條件
實(shí)現(xiàn)雙向拓?fù)?/p>
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信系統(tǒng)
SMPS
太陽(yáng)能系統(tǒng)
儲(chǔ)能和電池信息
UPS
電動(dòng)汽車(chē)充電
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPD70R600P7S
IPD70R600P7S是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET,屬于 CoolMOS? P7 系列,采用 TO-252-3(DPAK)封裝,適用于高壓、高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如 電源適配器、充電器、工業(yè)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng) 等領(lǐng)域。S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A:FM4 S6E2H系列MCU——160MHz,32位單核 Arm Cortex-M4微控制器(MCU),F(xiàn)BGA-121型號(hào):S6E2H46G0AGB3000A封裝:FBGA-121類(lèi)型:32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性:核心處理器:ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:160MHz連接能力:C…2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開(kāi)關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢(xún):86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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