商品名稱:UJ3C120070K4S
數(shù)據(jù)手冊(cè):UJ3C120070K4S.pdf
品牌:Qorvo
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
UJ3C120070K4S 是一款 1200V、70mW G3 SiC FET,采用獨(dú)特的 "級(jí)聯(lián) "電路配置。與 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常關(guān)斷 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許矽 IGBT、矽 FET、SiC MOSFET 或矽超結(jié)器件的真正 "即插即用替代品"。該器件采用 TO-247-4L 封裝,具有超低柵極電荷和超高穩(wěn)定性。器件具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,是開關(guān)器件的理想之選。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:P 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):34.5A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):12V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):70 毫歐 @ 20A,12V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):46 nC @ 15 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V
功率耗散(最大值):254.2W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4
封裝/外殼:TO-247-4
應(yīng)用
● EV充電
● 光伏逆變器
● 開關(guān)電源
● 功率因數(shù)校正模塊
● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
● 感應(yīng)加熱
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Qorvo總部位于美國北卡羅來納州,匯聚30余年的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
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