商品名稱:NVBG040N120M3S
數(shù)據(jù)手冊:NVBG040N120M3S.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVBG040N120M3S - 1200V、40mohm、碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管
產(chǎn)品描述
NVBG040N120M3S 1200V M3S 平面碳化硅 MOSFET 晶體管專為快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。平面技術(shù)可在負柵極電壓驅(qū)動和柵極尖峰關(guān)斷的情況下可靠工作。該系列在使用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能,但在使用 15V 柵極驅(qū)動時也能很好地工作。
產(chǎn)品特性
典型值 RDS(on) = 40 m @ VGS = 18 V
超低柵極電荷(QG(TOT) = 75 nC)
高速開關(guān),低電容(COSS = 80 pF)
100% 雪崩測試
典型應(yīng)用
汽車板載充電器
用于電動汽車/混合動力汽車的汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…電話咨詢:86-755-83294757
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