商品名稱:NVMYS4D1N06CLTWG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVMYS4D1N06CLTWG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:LFPAK4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
NVMYS4D1N06CLTWG 是一款采用5x6mm LFPAK封裝的汽車用60V、100A 功率MOSFET,專為緊湊高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET和PPAP,適用于需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):22A(Ta),100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 80μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.7W(Ta),79W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK4(5x6)
封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK
基本產(chǎn)品編號(hào):NVMYS4
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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