商品名稱:NFAM3512L7B
數(shù)據(jù)手冊:NFAM3512L7B.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:DIP-39
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NFAM3512L7B是一款先進的 IPM 模塊,可提供功能齊全的高性能逆變器輸出級,適用于交流感應、BLDC 和 PMSM 電機。這些模塊集成了優(yōu)化了內(nèi)置 IGBT 的柵極驅(qū)動,從而最大限度地降低了 EMI 和損耗,同時還提供多種模塊上保護功能包括欠壓鎖定、過流關斷、驅(qū)動 IC 熱監(jiān)控和故障報告。內(nèi)置高速 HVIC 只需一個電源電壓,并將輸入的邏輯電平柵極輸入轉(zhuǎn)換為正確驅(qū)動模塊所需的高電壓、大電流驅(qū)動信號。
功能
● 1200 V 35 A 3 相 FS7 IGBT 逆變器,包括用于柵極驅(qū)動和保護的控制 IC
● 采用 Al2O3 DBC 基底面,熱阻極低
● 有源邏輯接口
● 內(nèi)置欠壓保護 (UVP)
● 內(nèi)置自舉二極管/電阻器
● 獨立的低壓側(cè) IGBT 發(fā)射器連接,可實現(xiàn)單獨電流檢測
● 溫度傳感器(由 LVIC 輸出 TSU)
● UL 認證: E209204
● 這是一款無鉛器件
應用
● 工業(yè)驅(qū)動器
● 工業(yè)泵
● 工業(yè)風扇
● 工業(yè)自動化
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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