商品名稱:NVBG095N65S3F
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVBG095N65S3F N溝道SUPERFET? III MOSFET是一款高壓超級結(jié)(SJ) MOSFET,采用電荷平衡技術(shù)。該功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通損耗、出色的開關(guān)性能,并可承受極端dv/dt速率。該產(chǎn)品優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能,無需額外元件,提高了系統(tǒng)可靠性。這款MOSFET符合AEC?Q101標(biāo)準(zhǔn),具有PPAP功能,無鉛,符合RoHS指令。典型應(yīng)用包括汽車車載充電器和BEV用汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):36A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):95 毫歐 @ 18A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 860μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):66 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3020 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):272W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
| 精品人妻无码一区二区三区百度 | 一级高清无码视频 | 14 小泬喷白浆流在线观看 | 国产精品JIZZ在线播放高潮了 | 亚洲 中文 字幕永久免费 | 人妻偷情一区二区三区 | 色婷婷一区二区红桃 | 国产AV成人精品一区二区三区亅 | 久久久成人一区二区 | 国产精品久免费的黄网站 | 国产91玩精品秘 福利姬 | 日韩AV电影在线观看 | 九一国产视频在线观看 | 日韩 人妻 精品 无码 制服 | av在线观看高清无码 | 近親相姦五十路人妻 | 又大又粗又硬又爽又黄毛片视频 | 少女哔哩哔哩高清在线播放视频 | 免费无码婬片AAAA片视频 | 国产婬语交换乱婬毛片 | 大乱东京道一本热大交乱人妻 | 国产女性无套 免费网站 | 无码片A片AAA毛片啪啪声 | 成人人人人人欧美片做爰 | 金粉奴一区二区激情日本 | 日本欧美久久久久免费播放网 | 亚洲VS高潮喷水久久双男男男 | 少妇被黑人猛进无码视频 | 免费A级婬片无码AA 88aV在线播放潮喷 | 俺去射俺去射俺去射 | 狠狠躁日日躁夜夜躁A片男男视频 | 国产99视频精品免视看9的功能 | 无码人妻久久久久一区二区三区91 | 国产亚洲色婷婷99精品 | 97色情一区二区三区 | 成人网站一区在线看 | 高清无码视频免费观看 | 人人妻人人洗澡人人 | 狠狠躁爽A片免费观看 | 国产一级婬乱片AAAA |