NCP81523RMNTXG 是一款雙軌、四加一相降壓解決方案,針對英特爾IMVP9.1 CPU進行了優(yōu)化。多相軌道控制系統基于雙邊沿脈寬調制(PWM)和DCR電流檢測。這提供了對動態(tài)負載事件的超快速初始響應,并降低了系統成本。NCP81523具有超低失調電流監(jiān)控放大器,該放大器具有可編程失調補償功能,可用于高精度電流監(jiān)控。
特點
?VIN范圍:4.5 V至21 V
?啟動至預充電負載,同時避免錯誤OVP
?數字軟啟動斜坡
?可調VBOOT
?高阻抗差分輸出電壓放大器
?雙VID表支持與IMVP9.1兼容
?支持高電流擴展
?動態(tài)參考注入
?可編程輸出電壓壓擺率
?動態(tài)VID饋送?正向
?各相的差分電流檢測放大器
?可編程自適應電壓定位(AVP)
?可調開關頻率范圍
?數字穩(wěn)定開關頻率
?超聲波操作
?支持噪音緩解功能
?支持VCCIN_輔助IMON輸入
?PSYS輸入監(jiān)視器(SVID地址0D)
?符合英特爾的IMVP9.1規(guī)范
?電流模式雙邊沿調制,可對瞬態(tài)負載做出快速初始響應
?這是一款無Pb?器件
典型應用
?臺式機、筆記本電腦和Ultra-Book電腦
型號
品牌
封裝
數量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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