商品名稱:STO67N60DM6
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
STO67N60DM6 N溝道功率MOSFET是一款快速恢復(fù)體二極管,將極低恢復(fù)電荷 (Qrr) 和恢復(fù)時(shí)間 (trr) 與最有效的開(kāi)關(guān)行為相結(jié)合。該器件具有出色的開(kāi)關(guān)性能、低柵極輸入電阻以及更低的單位面積RDS (on) ,非常適合用于LLC轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):33A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):59 毫歐 @ 23.75A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):72.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3400 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):150W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TOLL(HV)
封裝/外殼:8-PowerSFN
基本產(chǎn)品編號(hào):STO67
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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