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STB36N60M6 MDmesh? M6 MOSFET將低柵極電荷 (Qg) 和經(jīng)過優(yōu)化的電容曲線相結(jié)合，設計用于在功率轉(zhuǎn)換應用的全新拓撲中實現(xiàn)高效率。該器件具有600 V工作電壓，適用于工業(yè)應用，包括充電器、適配器、銀盒模塊、LED照明、電信、服務器和太陽能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：99 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：44.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1960 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TO-263（D2PAK）

封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。