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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):STL28N60DM2
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
STL28N60DM2 600V、21A N溝道功率MOSFET是MDMESH?DM2快速恢復(fù)二極管系列的一部分。它具有極低的恢復(fù)電荷(Qrr)和恢復(fù)時(shí)間(trr)以及低RDS(on),適用于要求最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器,是橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和ZVS相移轉(zhuǎn)換器的理想選擇。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):175 毫歐 @ 10.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):140W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8)HV
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM8S105K4T6C
STM8S105K4T6C 是一款高性能 8 位微控制器,屬于 STM8S 系列。STM32F100VBT6
STM32F100VBT6是32位微控制器,屬于STM32F100xx超值系列,STM32F100xx微控制器集成了高性能 ARMCortex-M3 32 位 RISC 內(nèi)核(工作頻率為 24 MHz)、高速嵌入式存儲(chǔ)器(閃存高達(dá) 128 Kbytes,SRAM 高達(dá) 8 Kbytes)以及連接到兩個(gè) APB 總線(xiàn)的各種增強(qiáng)型外設(shè)和 I/O。所有器件…STM32L073VBT6
超低功耗 STM32L073VBT6 微控制器集成了通用串行總線(xiàn)(USB 2.0 無(wú)晶)的連接能力、工作頻率為 32 MHz 的高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 內(nèi)核、存儲(chǔ)器保護(hù)單元 (MPU)、高速嵌入式存儲(chǔ)器(高達(dá) 192 Kbytes 的閃存程序存儲(chǔ)器、6 Kbytes 的數(shù)據(jù) EEPROM 和 20 Kbytes 的 RA…STM32F102C8T6
STM32F102C8T6 中密度 USB 接入產(chǎn)品線(xiàn)集成了高性能 Arm Cortex-M3 32 位 RISC 內(nèi)核(工作頻率為 48 MHz)、高速嵌入式存儲(chǔ)器(64 或 128 Kbytes 的閃存和 10 或 16 Kbytes 的 SRAM)以及連接到兩個(gè) APB 總線(xiàn)的各種增強(qiáng)型外設(shè)和 I/O。所有器件都提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(兩個(gè) I2…STM32L151V8T6A
STM32L151V8T6A超低功率微控制器是基于 ARM Cortex-M3 的 STM32,采用 ST 專(zhuān)有的超低漏電工藝技術(shù),具有創(chuàng)新的自主動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)功能和 5 個(gè)低功率模式,提供了前所未有的平臺(tái)靈活性,適用于任何應(yīng)用。VND5E025AKTR-E
VND5E025AKTR-E是一款雙通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,采用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的 VIPower M0-5 技術(shù)制造,采用微型 PowerSSO-24 封裝。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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