商品名稱:NL17SZU04ADFT2G
品牌:ON
年份:23+
封裝:SC-88A
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NL17SZU04ADFT2G是一款單無緩沖逆變器,運行電壓為 1.65 V 至 5.5 V,采用非常受歡迎的 SC70/SC88a/SOT-353 封裝和極小 1.6 X 1.6 X .6 mm SOT553 封裝。
特性
? 專為 1.65 V 至 5.5 V VCC 工作而設計
? 2.1 ns tPD,VCC = 5 V(典型值)
? 輸入過壓容限高達 5.5 V
? IOFF 支持部分掉電保護
? 3.0 V 時源/匯流 12 mA
? 采用 SC-88A、SOT-553 和 SOT-953 封裝
? 芯片復雜度 < 100 FET
? Q 后綴適用于汽車和其他需要獨特的現(xiàn)場和控制變更要求的應用;通過 AEC-Q100 認證并可實現(xiàn) PPAP
? 這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
應用
該產品用途廣泛,適用于多種不同應用。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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