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SCTWA40N12G24AG碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半導體先進的創(chuàng)新型第二代 SiC MOSFET 技術。該器件單位面積導通電阻極低，開關性能極佳性能。開關損耗的變化幾乎不受結溫的影響。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：33A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：105毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：63 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1230 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：290W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

等級：汽車級

資質：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應用

● 主逆變器（電力牽引）

● 用于電動汽車/混合動力汽車的 DC/DC 轉換器

● 車載充電器 (OBC)

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