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SCT025W120G3-4AG碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半導體先進的創(chuàng)新型第三代 SiC MOSFET 技術(shù)開發(fā)而成。該器件在整個溫度范圍內(nèi)具有極低的 RDS(on)，同時還具有低電容和極高的開關(guān)操作性能，從而提高了頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和減重方面的應用性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)；56A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：37mOhm @ 25A, 18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：73 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+18V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1990 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：388W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應用

● 主逆變器（電力牽引）

● 用于電動汽車/混合動力汽車的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

● 車載充電器 (OBC)

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