VS-ENY050C60 采用 PressFit 插針，使用方便。裸露的基板提高了散熱性能。優(yōu)化的布局還有助于最大限度地減少雜散參數(shù)，從而實現(xiàn)更好的 EMI 性能。
特性
EF 系列功率 MOSFET
低輸入電容 (Ciss)
超低柵極電荷 (Qg)
外露式 Al2O3 基底面，熱阻低
雪崩能量額定值 (UIS)
內(nèi)部電感低
以 AQG324 準則為參考進行鑒定
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Vishay 成立于1962，是世界最大的分立半導體和被動元件的制造商之一. Vishay元件用于工業(yè)， 計算機， 汽車， 消費， 電信， 軍事， 航空及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備中。Vishay 的全球足跡包括在中國， 亞洲其他五個國家/地區(qū)， 歐洲及美洲設立的制造機構(gòu)，以及在全球…
VS-GT55LA120UX
VS-GT55LA120UX是一款“低側(cè)斬波器” IGBT模塊，具有以下主要參數(shù)和特性?：IGBT 類型：溝槽型場截止配置：單斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：68 A功率 - 最大值：291 W不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，50A電流…
VS-GT75LA60UF
VS-GT75LA60UF - 600V、81A、231W 溝槽現(xiàn)場止動單斬波器 IGBT 模塊，底座安裝 SOT-227VS-GT75LA60UF - 產(chǎn)品描述：VS-GT75LA60UF 是 600V、81A、231W "低側(cè)斬波 "IGBT 模塊，采用 SOT-227 封裝，底座安裝。VS-GT75LA60UF - 主要特性：溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)頻率高…
VS-GT100LA65UF
VS-GT100LA65UF - 650V、100A "低側(cè)斬波 "IGBT 模塊，SOT-227VS-GT100LA65UF - 產(chǎn)品屬性：IGBT 類型：溝槽場截止配置：單斬波器電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：94 A功率 - 最大值：230 WVce(on) （最大值） @ Vge，Ic…
VCNL36826S
VCNL36826S - 帶中斷、VCSEL 和 I2C 接口的接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36826S 在一個小型封裝中集成了一個接近傳感器 (PS) 和一個 VCSEL。它采用 CMOS 工藝將光電二極管、放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路集成到單個芯片中。PS 的可編程中斷功能具有獨立的高低閾值，可最大限度地利用微控…
VCNL36828PN3OQ
VCNL36828PN3OQ 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個封裝內(nèi)集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封裝、小窗口尺寸和短距離操作的接近檢測應用而開發(fā)。此外，考慮到 1.8 V 的典型額定電源電壓…
VCNL36828P
VCNL36828P - 采用 VCSEL、低空閑電流、I2C 接口和智能雙從屬地址的小型封裝接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36828P 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個封裝內(nèi)集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封…電話咨詢：86-755-83294757
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