商品名稱:GCMX080A120B2H1P
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
SemiQ推出全新太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電用全橋配置的高效緊湊型MOSFET模塊,GCMX080A120B2H1P 1200V、27A SiC全橋模塊就是其中的一員。這些高性能1200V SiC模塊經(jīng)過(guò)1400V以上的測(cè)試,旨在在高頻和高功率環(huán)境中可靠運(yùn)行。
規(guī)格
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:4 N 溝道(全橋)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):1200V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):27A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):100 毫歐 @ 20A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):56nC @ 20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1362pF @ 800V
功率 - 最大值:119W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):-
資質(zhì):-
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動(dòng)全選項(xiàng)混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng) mSiC? MOSFET 模塊
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SemiQ 設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識(shí),其中包括子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場(chǎng):電動(dòng)汽車充電器和充電站、功率…
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR
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GCMX020A120B2B1P是一個(gè)配置有2 個(gè) N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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