IXGA30N120B3絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產品采用IXYS最先進的GenX3 IGBT工藝制造，并利用其先進的穿通（PT）技術提供更低的飽和電壓、更低的開關損耗和更高的浪涌電流能力。
規(guī)格
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：3.5V @ 15V，30A
功率 - 最大值：300 W
開關能量：3.47mJ（開），2.16mJ（關）
輸入類型：標準
柵極電荷：87 nC
25°C 時 Td（開/關）值：16ns/127ns
測試條件：960V，30A，5 歐姆，15V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB
供應商器件封裝：TO-263AA
基本產品編號：IXGA30
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
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