NTHL033N65S3HF - 采用 TO-247 封裝的 650V、70A SUPERFET? III N 溝道功率 MOSFET 晶體管
型號:NTHL033N65S3HF
封裝:TO-247-3
類型:MOSFET 晶體管
描述:N 通道 650V 70A (Tc) 500W (Tc) 通孔 TO-247-3
產(chǎn)品概覽
NTHL033N65S3HF -SUPERFET III MOSFET是安森美半導體的全新高壓超級結(SJ)MOSFET系列,采用電荷平衡技術,具有出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。SUPERFET III FRFET MOSFET優(yōu)化了體二極管的反向恢復性能,可去除額外元件,提高系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品特性
700 V @ TJ = 150 °C
超低柵極電荷(典型值 Qg = 188 nC)
低有效輸出電容(Typ. Coss(eff.) = 1568 pF)
出色的體二極管性能(低 Qrr、堅固耐用的體二極管)
優(yōu)化的電容
符合 RoHS 規(guī)范
100% 通過雪崩測試
典型值 RDS(on) = 28 mΩ
應用范圍
- 電信/服務器電源
- 工業(yè)電源
- 電動汽車充電器
- UPS / 太陽能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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