NVMFS4C302NT1G - 采用 8-PowerTDFN 封裝的 30V 單 N 溝道邏輯電平功率 MOSFET 晶體管
型號:NVMFS4C302NT1G
封裝:SO-8
類型:MOSFET 晶體管
描述:N通道 30V 43A (Ta),241A (Tc) 3.75W (Ta),115W (Tc) 表面貼裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
產(chǎn)品概述
NVMFS4C302NT1G - 采用 5x6mm 扁平引線封裝的汽車功率 MOSFET,專為緊湊型高效設計而設計,具有高散熱性能。提供用于增強光學檢測的可潤濕側翼選件。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應用。
產(chǎn)品特點
小尺寸(5x6 毫米),適合緊湊型設計
- 低 RDS(on),將傳導損耗降至最低
- 低 QG 和電容,將驅動器損耗降至最低
- NVMFS4C302NWF - 用于增強光學檢測的可濕側面選件
- 通過 AEC-Q101 認證并可執(zhí)行 PPAP
應用
- DC-DC 轉換器輸出驅動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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