NTMFS4C020NT1G 是功率 MOSFET 30V、0.9 mΩ、303A、單 N 溝道晶體管。
產(chǎn)品屬性:
FET 類型:N 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss):30 V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C:47A (Ta),303A (Tc)
驅動電壓(最大 Rds 導通,最小 Rds 導通):4.5V,10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs:0.7mOhm @ 30A,10V
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Id:2.2V @ 250μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:139 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:10144 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):3.2W (Ta),134W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:表面貼裝
特點
占用空間?。?x6 毫米),適合緊湊型設計
低 RDS(on),將傳導損耗降至最低
低 QG 和電容,將驅動器損耗降至最低
符合 RoHS 規(guī)范
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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