商品名稱:NVH4L080N120SC1
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVH4L080N120SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:8500 件
NVH4L080N120SC1低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此,系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括最高的效率、更快的操作頻率、增加的功率密度、減少的EMI和減小的系統(tǒng)尺寸。
產(chǎn)品屬性
FET型 N溝道
技術(shù) SiCFET(碳化硅)
漏極-源極電壓(Vdss)1200 V
電流-25°C時(shí)的連續(xù)漏極(Id)29A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大Rds開(kāi),最小Rds開(kāi))20V
功耗(最大)170mW(Tc)
工作溫度-55°C~175°C(TJ)
安裝類(lèi)型 通孔
包裝/箱 TO-247-4
特征
1200伏@TJ=175°C
100%雪崩測(cè)試
低電容高速開(kāi)關(guān)
VGS=20 V,ID=20 A時(shí),最大RDS(開(kāi)啟)=110 m
AEC?Q101合格且具備PPAP能力
集成電路芯片NVH4L080N120SC1 1200V N溝道MOSFET晶體管TO-247-4
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車(chē)級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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