商品名稱:FDMT80060DC
數(shù)據(jù)手冊(cè):FDMT80060DC.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:8000 件
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FDMT80060DC在硅和雙冷封裝技術(shù)方面的進(jìn)步,使其能夠提供最低的rDS(on),同時(shí)通過(guò)極低的結(jié)點(diǎn)-環(huán)境熱阻保持出色的開關(guān)性能。DUAL COOL封裝技術(shù)相結(jié)合,提供了最低的rDS(on),同時(shí)通過(guò)極低的結(jié)點(diǎn)-環(huán)境熱阻保持了出色的開關(guān)性能。
特點(diǎn)
在 VGS = 10 V、ID = 43 A 時(shí),最大 rDS(on) = 1.1 m
在 VGS = 8 V、ID = 37 A 時(shí),最大 rDS(on) = 1.3 m
先進(jìn)的封裝和硅組合實(shí)現(xiàn)了低rDS(on)和高能效
新一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù),專為軟恢復(fù)而設(shè)計(jì)
扁平的8x8毫米MLP封裝
MSL1穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)
100%通過(guò)UIL測(cè)試
該器件不含鉛,不含鹵化物,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
OringFET/負(fù)載開關(guān)
同步整流
直流-直流轉(zhuǎn)換
FDMT80060DC是60 V、292 A、1.1 mΩ MOSFET - N溝道,POWERTRENCH。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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