商品名稱：CAT24C64C4CTR
數(shù)據(jù)手冊：
CAT24C64C4CTR.PDF
品牌：ON
年份：16+
封裝：WLCSP-4
貨期：原裝現(xiàn)貨
庫存數(shù)量：30000 件
CAT24C64是一個64 Kb CMOS串行EEPROM器件，內(nèi)部組織為8192個字，每個8位。
它具有32字節(jié)的頁面寫入緩沖區(qū)，支持標準（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速+（1 MHz）I2C協(xié)議。
外部地址引腳可以在同一總線上尋址多達八個CAT24C64設(shè)備。
特征
?支持標準、快速和快速?Plus I2C協(xié)議
?1.7 V至5.5 V電源電壓范圍
?32?字節(jié)頁面寫入緩沖區(qū)
?整個內(nèi)存的硬件寫入保護
?I2C總線輸入（SCL和SDA）上的施密特觸發(fā)器和噪聲抑制濾波器
?低功耗CMOS技術(shù)
?1000000編程/擦除周期
?100年數(shù)據(jù)保留
?工業(yè)和擴展溫度范圍
?SOIC、TSSOP、UDFN 8焊盤和超薄WLCSP 4凸塊封裝
?該設(shè)備不含鉛、不含鹵素、不含BFR，符合RoHS標準
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR（SLC） 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA（8x6）
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR（SLC） 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA（8x6）
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預(yù)驅(qū)動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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