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NCV51705MNTWG - 單通道 6A 高速、低側 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品概覽

NCV51705MNTWG 主要用于驅(qū)動 SiC MOSFET 晶體管。為了實現(xiàn)盡可能低的傳導損耗，該驅(qū)動器能夠向 SiC MOSFET 器件提供最大允許柵極電壓。通過在導通和關斷期間提供高峰值電流，開關損耗也降到了最低。

NCV51705 - 低端開關配置： 

主要特點

- 高峰值輸出電流，采用分路輸出級，允許獨立的導通/關斷調(diào)節(jié)；

源能力：6 A

灌電流能力：6 A

- 擴展的正向額定電壓可在導通期間實現(xiàn)高效的 SiC MOSFET 操作

- 可調(diào)板載穩(wěn)壓充電泵

- 用于快速關斷的負電壓驅(qū)動

- 內(nèi)置負充電泵

- 用于數(shù)字振蕩器電源的可接入 5 V 基準/偏壓軌

- 可調(diào)欠壓鎖定

- 去飽和功能

- 小型、低寄生電感 QFN24 封裝，帶可濕性側翼

典型應用

- 驅(qū)動用于汽車應用的 SiC MOSFET

- 汽車逆變器、轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動器

- PFC、AC 至 DC 和 DC 至 DC 轉(zhuǎn)換器

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