NTCR013N120M3S 1200V M3S 平面 SiC MOSFET 專為快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。平面技術(shù)能可靠地使用負(fù)柵極電壓驅(qū)動和關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能，但在 15V 柵極驅(qū)動時也能很好地工作。
特性
出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]。
超低柵極電荷（QG(tot) = 254 nC）
高速開關(guān)，低電容（Coss = 262 pF）
15V 至 18V 柵極驅(qū)動
新型 M3S 技術(shù)：13 歐姆 RDS(ON)，低 Eon 和 Eoff 損耗
100% 通過雪崩測試
無鹵化物，符合 RoHS 規(guī)范
芯片（鋸切箔）
應(yīng)用
太陽能逆變器
電動汽車充電站
不間斷電源 (UPS)
儲能系統(tǒng)
開關(guān)模式電源 (SMPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
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