安森美 FFSH1065B-F155 碳化硅（SiC）肖特基二極管采用了一種全新的技術，與硅相比，它具有更出色的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流、與溫度無關的開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為新一代功率半導體。系統(tǒng)優(yōu)勢包括效率最高、工作頻率更快、功率密度更高、電磁干擾更小、系統(tǒng)尺寸和成本更低。
特點
? 最高結溫 175°C
? 雪崩額定值 51 mJ
? 高浪涌電流容量
? 正溫度系數
? 易于并聯(lián)
? 無反向恢復/無正向恢復
? 這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHS 規(guī)范
應用
? 通用
? SMPS、太陽能逆變器、UPS
? 電源開關電路
型號
品牌
封裝
數量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預驅動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
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UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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