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UF3C065080K3S是一款650 V, 80 mohm SiC FET分立式晶體管。此器件采用TO-247-3L封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，配合推薦的RC緩沖器使用時，非常適合開關感性負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。

規(guī)格

產品種類：MOSFET

技術：SiC

安裝風格：通孔

封裝 / 箱體：TO-247-3

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：31 A

Rds On-漏源導通電阻：100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 12 V, + 12 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：6 V

Qg-柵極電荷：51 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：190 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

商標名：SiC FET

系列：UF3C

配置：Single

下降時間：11 ns

產品類型：MOSFET

上升時間：14 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關閉延遲時間：54 ns

典型接通延遲時間：25 ns

單位重量：6 g

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