商品名稱:RF JFET 晶體管
品牌:Qorvo
年份:24+
封裝:SMD
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
Qorvo QPD2080D 800μm 分立式GaAs pHEMT(假晶高電子遷移率晶體管)的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下,QPD2080D的輸出功率為29.5dBm(P1dB時(shí)),增益為11.5dB,功率附加效率為56%(1dB壓縮時(shí))。
QPD2080D設(shè)計(jì)采用0.25μm功率pHEMT生產(chǎn)工藝。該工藝在高漏極偏置工作條件下通過先進(jìn)的技術(shù)優(yōu)化微波功率和效率。
功能
頻率范圍:直流至20GHz
P1dB輸出功率:29.5dBm(典型值)
增益:11.5dB(12GHz時(shí)典型值)
PAE:56%(12GHz時(shí)典型值)
噪聲系數(shù):1dB(12GHz時(shí)典型值)
漏極電壓:8V
漏極電流:130mA
0.25μm GaAs pHEMT技術(shù)
裸片尺寸:0.41mm x 0.54mm x 0.10mm
無鹵、無鉛、符合RoHS指令
應(yīng)用
通信
雷達(dá)
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電
衛(wèi)星通信
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Qorvo總部位于美國(guó)北卡羅來納州,匯聚30余年的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國(guó)具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
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