商品名稱(chēng):開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
品牌:Qorvo
年份:24+
封裝:QFN-32
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
ACT41000-104 是一款帶輔助偏置電源調(diào)節(jié)器的可編程輸出、低噪聲、RFPoL(射頻負(fù)載點(diǎn))降壓調(diào)節(jié)器。這款同步降壓穩(wěn)壓器支持4.5至40 V的寬輸入電壓,并集成高端和低端MOSFETS。這些50mωrd son晶體管由優(yōu)化的5V自偏置驅(qū)動(dòng),可實(shí)現(xiàn)高效率以降低功耗。
ACT41000-104的特性:
輸入電壓范圍:4.5V至40V
可編程輸出,出廠默認(rèn)值
輸出電壓范圍:3V至24V(12.5mV步進(jìn))
輸出電流(限值)高達(dá)4A(15.6mA步進(jìn))
450kHz至2.25MHz固定頻率電流模式,帶外部時(shí)鐘同步和擴(kuò)頻
5V/350mA自偏置降壓轉(zhuǎn)換器,具有20mA AUX LDO、可編程輸出電壓
I2C接口,快速模塊+(Fm+, 1MHz)
保護(hù)特性
UVLO、OVP、UVP(斷續(xù)/閉鎖)、OCP、TSD
散熱增強(qiáng)型 (5mm × 5mm) QFN封裝
應(yīng)用
RF PA (GaN/GaAs) 漏極偏置/功率,帶IDQ搜索功能
通用服務(wù)器、電信和工業(yè)電源
電信射頻模塊
雷達(dá)系統(tǒng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
HSOIC-8
22500
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)式 0.8V 1 輸出 1A 8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 寬)
Renesas
SOIC-8
10000
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正或負(fù) 固定 -Vin,2Vin 1 輸出 45mA 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
TI
VQFN-16
15000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)式 0.9V 1 輸出 2A 16-VFQFN 祼焊盤(pán)
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Qorvo總部位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州,匯聚30余年的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國(guó)具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
RF5426TR13
RF5426TR13 是一款射頻前端集成電路(RF Front End IC),專(zhuān)為滿足現(xiàn)代通信設(shè)備對(duì)高性能射頻信號(hào)處理的需求而設(shè)計(jì)。QPF4509
QPF4509是Qorvo公司設(shè)計(jì)的一款專(zhuān)為Wi-Fi 7(802.11be)系統(tǒng)的高功率前端模塊(FEM)。性能側(cè)重于優(yōu)化 PA 的 5V 電源電壓,以最大限度地降低功耗,從而允許使用數(shù)字預(yù)失真的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最高的線性輸出功率和射頻鏈的領(lǐng)先吞吐量。這是在寬帶寬上完成的,支持在 UNII1-4(5.170…QPF4609
Qorvo QPF4609是一款專(zhuān)為 Wi-Fi 7 (802.11be) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊(FEM)。小尺寸和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用程序中的布局區(qū)域。性能側(cè)重于優(yōu)化 PA 的 5V 電源電壓,以最大限度地降低功耗,從而允許使用數(shù)字預(yù)失真的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最高的線性輸出功率和射頻鏈的領(lǐng)先吞…RFFM4227TR13
RFFM4227TR13是專(zhuān)為 Wi-Fi 802.11b/g/n 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的低噪聲放大器 (LNA)。QM42195SR
QM42195SR是Qorvo公司推出的一款高性能射頻前端(RF FEM)模塊,專(zhuān)為802.11ax 2.4GHz WiFi應(yīng)用設(shè)計(jì)。UG4SC075011K4S
UG4SC075011K4S “Combo-FET ”將 750V SiC JFET 和低壓 Si MOSFET 集成到單個(gè) TO-247-4L 封裝中。 這種創(chuàng)新方法使用戶能夠創(chuàng)建支持常開(kāi)開(kāi)關(guān)的電路,同時(shí)充分利用常開(kāi) SiC JFET 的優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)包括超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,以及簡(jiǎn)化 JFET 器…電話咨詢:86-755-83294757
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