商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
C3M0016120K1是設(shè)計符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET,具有高速開關(guān)特性,電容低,阻斷電壓高,導(dǎo)通電阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列針對高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如UPS、電機控制和驅(qū)動、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器等。
C3M0016120K1的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:13 ns
Id-連續(xù)漏極電流:115 A
最大工作溫度:+ 175°C
最小工作溫度:- 40°C
安裝風(fēng)格:Through Hole
通道數(shù)量:1 Channel
封裝 / 箱體:TO-247-4
Pd-功率耗散:556 W
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:211 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:28.8 mOhms
上升時間:33 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:Transistors
技術(shù):SiC
晶體管極性:N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:65 ns
典型接通延遲時間:34 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 19 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600(I 類材料)符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標(biāo)準(zhǔn)高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設(shè)計超低損耗、高頻運行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…電話咨詢:86-755-83294757
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