DMWSH120H90SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET旨在最大限度地降低導通電阻，同時保持出色的開關性能，非常適合高效率電源管理應用。
DMWSH120H90SM4Q的規(guī)格：
FET 類型：N 通道
技術：SiC（碳化硅結晶體管）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：97.5 毫歐 @ 20A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：47.6 nC @ 15 V
Vgs（最大值）：+19V，-8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1112 pF @ 1000 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：235W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級：汽車級
資質：AEC-Q101
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-247-4
封裝/外殼：TO-247-4
型號
品牌
封裝
數量
描述
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