商品名稱:N 溝道 MOSFET
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPT015N10N5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:30980 件
英飛凌采用TO-Leadless封裝的OptiMOS?功率MOSFET為高達(dá)300A的大電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如叉車、輕型電動(dòng)車(LEV)、電動(dòng)工具、負(fù)載點(diǎn)(POL)、電信和電子保險(xiǎn)絲。此外,封裝尺寸縮小了60%,使其設(shè)計(jì)非常緊湊。與D2PAK 7-pin相比,TO-Leadless的占地面積大幅減少30%。高度減少了50%,在狹窄的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì),如機(jī)架或刀片服務(wù)器。
IPT015N10N5產(chǎn)品規(guī)格:
系列:OptiMOS?
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :300A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 1.5 毫歐 @ 150A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 211 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 16000 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-HSOF-8-1
封裝/外殼: 8-PowerSFN
基本產(chǎn)品編號(hào): IPT015
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTH50030-1LUA
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DDB2U60N07W1RF 是 650 V、60 A EasyBRIDGE? 整流橋模塊,采用 CoolSiC? MOSFET 和 CoolSiC? 肖特基二極管 G5 650 V、NTC,安裝在帶有 PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù)的 Easy 1B 外殼中。DDB2U50N08W1RF
DDB2U50N08W1RF 是一款適用于汽車級(jí)的智能功率模塊,集成了 IGBT 和 SiC 二極管,專為高壓、大電流應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車的牽引逆變器等領(lǐng)域。DD171N16KK
DD171N16KK是一款由英飛凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)生產(chǎn)的高性能整流二極管模塊,屬于 Power Block 系列。電話咨詢:86-755-83294757
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