商品名稱(chēng):IMBG65R163M1HXTMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMBG65R163M1HXTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IMBG65R163M1HXTMA1 SMD緊湊型封裝SiC MOSFET,CoolSiC? MOSFET技術(shù)通過(guò)最大限度地利用碳化硅的強(qiáng)大物理特性,增強(qiáng)了器件性能、堅(jiān)固性和易用性的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
IMBG65R163M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性
晶體管類(lèi)型: N-溝道
技術(shù): SiCFET (碳化硅)
漏極至源極電壓(Vdss): 650 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 17A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大Rds On,最小Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id: 5.7V @ 1.7mA
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 10 nC @ 18 V
Vgs(最大): +23V,-5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 320 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 85W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-12
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7引線+焊片),TO-263CA
IMBG65R163M1HXTMA1的特點(diǎn)
高性能、高可靠性和易于使用
高系統(tǒng)效率和高功率密度
降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性
創(chuàng)建成本更低、更簡(jiǎn)單、更小的系統(tǒng)
集成電路芯片IMBG65R163M1HXTMA1功率MOSFET晶體管TO-263-8
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
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S25FL512SAGBHIC13是由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的一款高性能NOR閃存芯片,采用SPI接口,適用于多種嵌入式應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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